SGM6614XTSL11G/TR

SGM6614XTSL11G/TR 是款PWM/PFM模式 15A 18V全集成的同步升压转换芯片,输入电压2.17V-18V  

产品封装形式和描述:

TQFN3×2.5-11L

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详细描述

深圳市润泽芯电子有限公司 推荐 SGMICRO/圣邦微品牌 SGM6614XTSL11G/TR    TQFN3×2.5-11L封装 

SGM6614XTSL11G/TR 是款PWM/PFM模式 15A 18V全集成的同步升压转换芯片,输入电压2.17V-18V  

产品描述

SGM6614XTSL11G/TR 是一款开关电流为 15A 的完全集成同步升压转换器。

集成的开关 FET 和整流开关分别具有 8.8mΩ 的低侧导通电阻和 12.2mΩ 的高侧导通电阻,为便携式应用提供了高转换效率。

2.17V 至 18V 的宽输入电压范围使其能够灵活适用于各种输入电源,例如单节至多节锂电池。该器件可支持高达 18V 的输出电压。

SGM6614XTSL11G/TR 采用固定频率峰值电流模式控制拓扑来管理主开关 FET 的 PWM 占空比。

该器件在中载和重载时工作在脉宽调制 (PWM) 模式,在此模式下,两个功率 FET 在一个开关周期内交替导通。

它在轻载时会自动切换到脉冲频率调制 (PFM) 模式。PWM 模式采用 500kHz 的开关频率。

SGM6614XTSL11G/TR 提供多种保护功能以提高器件鲁棒性,例如过压保护、过流保护和热关断。

SGM6614XTSL11G/TR 采用 TQFN-3×2.5-11L 封装。

参数特性

⚫  2.17V 至 18V 输入电压范围

⚫  4.5V 至 18V 输出电压范围

⚫  2.4V 低启动输入电压

⚫  15A (典型值) 峰值开关电流限制

⚫  8.8mΩ 低侧和 12.2mΩ 高侧 MOSFET

⚫  固定 500kHz 开关频率

⚫  在 VIN​=3.6V, VOUT​=13V, IOUT​=2A   条件下, 效率高达 94.42%

⚫  在 VIN​=7.2V, VOUT​=16V, IOUT​=2.5A 条件下,效率高达 97.07%

⚫  VOUT 引脚静态电流典型值为 85µA

⚫  关断电流小于 1.5µA

⚫  轻载时自动进入 PFM 模式

⚫  19V 输出过压保护

⚫  逐周期过流保护

⚫  热关断

⚫  采用 TQFN-3×2.5-11L 封装

产品应用

⚫ 智能音箱
⚫ 便携式销售终端 (POS)
⚫ 移动电源 (Power Bank)

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