SGM6630XMS10G/TR
SGM6630XMS10G/TR 非同步升压芯片 支持采用低侧FET作为主开关SEPIC和反激拓扑结构，输入电压2.97V-48V
产品封装形式和描述：
MSOP-10
详细描述
深圳市润泽芯电子有限公司 推荐 SGMICRO/圣邦微品牌 SGM6630XMS10G/TR MSOP-10封装
SGM6630XMS10G/TR 非同步升压芯片 支持采用低侧FET作为主开关的升压、SEPIC和反激拓扑结构，输入电压2.97V-48V
产品描述
SGM6630XMS10G/TR 是一款宽输入电压范围、高性能、非同步的升压(Boost)控制器。
该器件能够支持采用低侧FET作为主开关的Boost、SEPIC和反激(Flyback)拓扑结构。
该器件具有100kHz至1MHz的高可调且可同步的时钟频率范围，有助于减小整体解决方案的尺寸。
除了逐周期电流限制外，电流模式操作还提供了优异的带宽和瞬态响应。
电流限制阈值可通过单个外部电阻进行编程。集成的电流斜率补偿功能简化了设计过程。
SGM6630 配备了内置保护功能，如热关断、内部软启动、过压保护和短路保护。
其在关断模式下的耗电电流为3µA。内部软启动功能可以在器件开启时限制涌入电流。
SGM6630XMS10G/TR 采用 MSOP-10 封装。
参数特性
⚫ 宽电源电压范围：2.97V 至 48V ⚫ 1A 峰值电流内部推挽驱动器 ⚫ 100kHz 至 1MHz 开关频率 ⚫ 160mV (±20mV) 电流检测阈值电压 ⚫ 6.5µA 关断电流 (过温条件下) ⚫ +27mV/-24mV 内部基准电压 (过温条件下) ⚫ 通过一个电容和一个电阻优化频率补偿 ⚫ 电流模式控制 ⚫ 带滞回的可调欠压锁定(UVLO)功能 ⚫ 轻载条件下的脉冲跳跃模式 ⚫ 逐周期电流限制 ⚫ 内部软启动 ⚫ 热关断保护 ⚫ 采用环保的 MSOP-10 封装
产品应用
⚫ 隔离式偏置电源 ⚫ 单节/两节锂离子电池供电的便携设备
关于此物料的更详尽参数 可以点击[文件下载] 完整版产品规格书
免费送样
我们的工作人员将会在24小时之内（工作日）联系您，如果需要其他服务，欢迎拨打服务热线：0755-83881051