AS1801D4RN
产品封装形式和描述：
DFN1216-4L
详细描述
深圳市润泽芯电子有限公司 推荐 ANGSEMI/昂赛微品牌 AS1801D4RN DFN1216-4L封装
AS1801D4RN 是CMOS工艺，南北极磁场交替 全极性检测霍尔效应传感器开关元件，输入电压1.65V-5.5V,功耗低于1uA
产品描述
AS1801D4RN 采用低功耗CMOS工艺设计，
适用于低功耗、高性能的全极型检测霍尔效应应用，
例如电池供电设备中的盖板开关、非接触式开关、固态开关和盖子闭合传感器等。
该霍尔集成电路集成了用于磁感应的片上霍尔电压发生器、一个用于放大霍尔电压的比较器、
一个斩波放大器、一个提供开关迟滞以抑制噪声的施密特触发器，以及一个互补输出。
AS1801D4RN 在1.8V电源供电下的总功耗通常低于1.0uA。设计用于响应交替的南极和北极磁场。
当磁通密度（B）大于操作点（Bop）时，输出将导通（低电平）；该输出状态将保持，直到磁通密度（B）低于释放点（Brp）时，输出才关闭（高电平）。
参数特性
⚫ 输入电压范围：1.65V 至 5.5V
⚫ 微功耗，非常适合电池供电应用
⚫ 全极型操作，易于使用输出
⚫ 超高灵敏度霍尔传感器
⚫ 低功耗CMOS工艺技术
⚫ 斩波稳定放大器级
⚫ 磁灵敏度（典型值）：Bop（操作点）=±40高斯，Brp（释放点）=±23高斯
⚫ 良好的射频抗干扰能力
⚫ 无需上拉电阻
⚫ 小巧的解决方案尺寸
⚫ 符合RoHS和无卤（Green）标准
⚫ DFN1216-4L 封装
⚫ -40°C 至 +85°C 工作温度范围
产品应用
⚫ 智能电表
⚫ 翻盖开关
⚫ 非接触式开关
关于此物料的更详尽参数 可以点击[文件下载] 完整版产品规格书
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