AS1801AMBN

AS1801AMBN 是CMOS工艺,南北极磁场交替 全极性检测霍尔效应传感器开关元件,输入电压2.2V-5V,功耗低于2.5uA

产品封装形式和描述:

SIP-3L

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详细描述

深圳市润泽芯电子有限公司 推荐 ANGSEMI/昂赛微品牌 AS1801AMBN  SIP-3L封装

AS1801AMBN 是CMOS工艺,南北极磁场交替 全极性检测霍尔效应传感器开关元件,输入电压2.2V-5V,功耗低于2.5uA

产品描述

AS1801AMBN 采用低功耗CMOS工艺设计,

专为低功耗、高性能全极检测霍尔效应应用而设计,

例如电池供电的翻盖开关、非接触式开关、固态开关和盖子闭合传感器等。

该霍尔集成电路集成了用于磁感应的片上霍尔电压发生器、一个用于放大霍尔电压的比较器、

一个斩波放大器、一个提供开关迟滞以抑制噪声的施密特触发器,以及一个互补输出。

AS1801AMBN 在2.8V电源电压下的总功耗通常低于2.5μA。设计用于响应交替的南极和北极磁场。

当磁通密度(B)大于操作点(Bop)时,输出将开启(低电平),并保持该状态直至磁通密度(B)低于释放点(Brp),随后输出关闭(高电平)。

参数特性

输入电压范围:2.2V至5.0V
微功耗设计,适用于电池供电应用
全极操作,易于输出配置
超高灵敏度霍尔传感器
低功耗CMOS工艺技术
斩波稳定放大器级
磁灵敏度(典型值):Bop=±18高斯,Brp=±10高斯
优异的射频抗干扰能力
无需上拉电阻
小型化解决方案
符合RoHS及环保标准
SIP-3L封装
工作温度范围:-40°C至+85°C

产品应用

智能电表
翻盖开关
非接触式开关

关于此物料的更详尽参数 可以点击[文件下载] 完整版产品规格书

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