AS1801BD4RN
产品封装形式和描述：
DFN1216-4L
详细描述
深圳市润泽芯电子有限公司 推荐 ANGSEMI/昂赛微品牌 AS1801BD4RN DFN1216-4L封装
AS1801BD4RN 是CMOS工艺，南北极磁场交替 全极性检测霍尔效应传感器开关元件，输入电压1.6V-3.65V,功耗低于1.5uA
产品描述
AS1801BD4RN 采用低功耗CMOS工艺设计，
用于低功耗、高性能的全极型霍尔效应检测应用，
例如翻盖开关、非接触式开关、固态开关和盖子关闭传感器等电池供电操作。
该霍尔集成电路集成了用于磁感应的片上霍尔电压发生器、一个放大霍尔电压的比较器、
一个斩波放大器、一个提供开关迟滞以抑制噪声的施密特触发器，以及一个互补输出。
AS1801BD4RN 在1.8V电源电压下的总功耗典型值小于1.5uA。设计用于响应交替的南极和北极磁场。
当磁通密度（B）大于操作点（BOP）时，输出将导通（低电平），该输出状态将保持，直到磁通密度（B）低于释放点（BRP）时，输出才关闭（高电平）。
参数特性
⚫ 输入电压范围：1.60V 至 3.65V
⚫ 微功耗，非常适合电池供电应用
⚫ 全极型操作，易于用作输出
⚫ 超高灵敏度的霍尔传感器
⚫ 低功耗CMOS工艺技术
⚫ 斩波稳定放大器级
⚫ 磁灵敏度（典型值）：BOP=±30高斯 (Gauss)，BRP=±20高斯 (Gauss)
⚫ 良好的射频噪声抗扰度
⚫ 无需上拉电阻
⚫ 小巧的解决方案尺寸
⚫ 符合RoHS和环保标准
⚫ DFN1216-4L封装
⚫ -40°C 至 +85°C 温度范围
产品应用
⚫ 智能电表
⚫ 翻盖开关
⚫ 非接触式开关
关于此物料的更详尽参数 可以点击[文件下载] 完整版产品规格书
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