CS5230EA
产品封装形式和描述：
ESOP-10
详细描述
深圳市润泽芯电子有限公司 推荐Chipstar/智浦欣微品牌 CS5230EA 采用 ESOP-10L 封装
CS5230EA 内置电容升压模块 AB/D类模式可切换 5.2W单声道 GF类音频功放
产品介绍
CS5230EA 采用 ESOP-10L 封装 包装数量：4000PCS/盘装
CS5230EA 是一款采用CMOS工艺，
电容式升压型GF类单声道音频功放，可以为4Ω的负载提供5W的连续功率；
CS5230EA 芯片内部固定的28倍增益，有 效 的减少了外围元器件的数量；
功放集成了D类和AB类两种工作模式即可 保 证 D类模式下强劲的功率输出，
又可兼顾系统在有FM的情况下，消 除 功放对系统的干扰；
CS5230EA 具有 独 特 的防破音（NCN）功能，
可根据输出信号的大小自动调整功放的增益，实现 更 加 舒适的听觉感受。
CS5230EA 的外围只有低成本的阻容器件，
在以锂电池供电的移动式音频设备中，是理 想的音频子系统的功放解决方案。
CS5230EA的全差分架构和 极 高 的PSRR 有 效 地 提 高了对RF噪声的抑制能力。
另外CS5230EA内置了过流保护，和过热保护，
有 效 的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。
CS5230EA 提供了ESOP10的封装类型，其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。
产品特性
输出功率
Po at VBAT = 5.0V, RL=4Ω+33uH
THD+N=10% =5.2W（NCN OFF@D MODE）
THD+N=1% =4.3W（NCN OFF@D MODE）
Po at VBAT = 4.2V, RL=4Ω+33uH
THD+N=10% =4.8W（NCN OFF@D MODE）
THD+N=1% =4.1W（NCN OFF@D MODE）
Po at VBAT = 3.6V, RL=4Ω+33uH
THD+N=10% =3.45W（NCN OFF@D MODE）
THD+N=1% =3.00W（NCN OFF@D MODE）
集成Charge Pump升压模块，集成AB类D类两种工作模式GF类音频功放
输入电压范围：2.7~5.5V
关断电流：<1uA
待机电流：15mA
D类调制频率：300kHz
防破音模式开关
AERC 专 利 技术，提供 优 异 的全带宽EMI抑制能力
优 异 的“噼噗-咔嗒”（pop-noise）杂音抑制能力
高的电源抑制比（PSRR）：在217Hz下为-80dB
过温保护
过压保护
产品应用
便携式音频设备
蓝牙音箱
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