CS5263E
产品封装形式和描述：
ESOP-10L
详细描述
深圳市润泽芯电子有限公司 推荐Chipstar/智浦欣微品牌 CS5263E 采用 ESOP-10L 封装
CS5263E 内置电容升压模块 AB/D类模式可切换 7W单声道 GF类音频功放
产品介绍
CS5263E 采用 ESOP-10L 封装 包装数量：4000PCS/盘装
CS5263E 是一款采用CMOS工艺，
电容式升压型GF类单声道音频功放，可以为3Ω的负载提供7.0W的连续功率；
CS5263E芯片内部固定的28倍增益，有 效 的减少了外围元器件的数量；
功放集成了D类和AB类两种工作模式即可保 证 D类模式下强劲的功率输出，
又可兼顾系统在FM的情况下，消 除 功放对系统的干扰；
CS5263E具有 独 特 的防破音(NCN)功能，
可根据输出信号的大小自动调整功放的增益，实现更加舒适的听觉感受。
CS5263E的外围只有低成本的阻容器件，
在以锂电池供电的移动式音频设备中是 理 想 的音频子系统的功放解决方案。
CS5263E的全差分架构和 极 高 的PSRR 有 效 地提高了对RF噪声的抑制能力。
内置了过流保护和过热保护，有 效 的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。
CS5263E 提供ESOP10的封装类型，其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。
产品特性
集成Charge Pump升压模块，集成AB类D类两种工作模式GF类音频功放。
输出功率（NCN OFF@D MODE）
Po at VBAT = 5.0V, RL=4Ω+33uH;
THD+N=10% =6.0W
THD+N=1% =4.8W
Po at VBAT = 5.0V, RL=8Ω+33uH
THD+N=10% =3.2W
THD+N=1% =2.6W
Po at VBAT = 3.6V, RL=4Ω+33uH;
THD+N=10% 5.0W 3.0W
THD+N=1% 4.3W 2.4W
Po at VBAT = 3.6V, RL=8Ω+33uH
THD+N=10% =3.0W
THD+N=1% =2.4W
Po at VBAT = 5.0V, RL=3Ω+33uH
THD+N=10% 7.0W
THD+N=1% 5.8W
Po at VBAT = 3.6V, RL=3Ω+33uH
THD+N=10% 5.7W
THD+N=1% 5.0W
输入电压范围：2.7~5.5V
关断电流：<1uA；待机电流：8mA@3.7V
管脚兼容CS5250E
D类调制频率：350KHz
防破音模式开关
AERC专 利 技术，提供 优 异 的全带宽EMI抑制能力
优 异 的“噼噗-咔嗒”(pop-noise)杂音抑制能力
高的电源抑制比(PSRR)：在217Hz下为-80dB
过温保护
过压保护
产品应用
便携式音频设备
蓝牙音箱
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